Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Павлович І$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
1. |
Павлович І. І. Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками [Електронний ресурс] / І. І. Павлович, О. І. Копил, В. М. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 117-121. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_14 Проведено експериментальні дослідження залежностей термоелектрорушійної сили та електропровідності <$E p- roman {(Bi sub 2 Te sub 3 ) sub 0,25 (Sb sub 2 Te sub 3 ) sub 0,72 (Sb sub 2 Se sub 3 ) sub 0,03}> та <$E n- roman {(Bi sub 2 Te sub 3 ) sub 0,9 (Sb sub 2 Te sub 3 ) sub 0,05 (Sb sub 2 Se sub 3 ) sub 0,05}>, вирощених за допомогою методу вертикальної зонної плавки, залежно від рівня легування синтезованих зливків. Встановлено, що збільшення співвідношення кількості носіїв заряду, утворених домішками (Pb, I), відносно інших дефектів, у тому числі й антиструктурних, сприяє збільшенню термоелектричної ефективності (<$E alpha sup 2 sigma>) і зменшує термічну деградацію матеріалу за робочих температур гарячого спаю генератора ~ 650 К. Показано, що у разі легування свинцем <$E p- roman {(Bi sub 2 Te sub 3 ) sub 0,25 (Sb sub 2 Te sub 3 ) sub 0,72 (Sb sub 2 Se sub 3 ) sub 0,03}> масовою часткою понад 0,6 % відбувається насичення. Використання такого матеріалу для створення термоелектричних генераторів дало можливість збільшити коефіцієнт корисної дії модуля на 18 %.
| 2. |
Павлович І. І. Вплив обробки на термоелектричні властивості твердих розчинів на основі Bi2Te3 [Електронний ресурс] / І. І. Павлович, В. М. Томашик, З. Ф. Томашик, І. Б. Стратійчук, О. І. Копил // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 1. - С. 134-137. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_1_22 Представлено результати експериментальних досліджень залежностей термоерс та електропровідності напівпровідникових матеріалів p-(Bi2Te3)0,25(Sb2Te3)0,72(Sb2Se3)0,03 і n-(Bi2Te3)0,9(Sb2Te3)0,05(Sb2Se3)0,05, вирощених за допомогою методу вертикальної зонної плавки, від термообробки синтезованих злитків. Показано, що даний матеріал дозволив збільшити коефіцієнт корисної дії термоелектричного генераторного модуля на 18 %. Вивчено характер взаємодії даних твердих розчинів із розчинами системи I2 - ДМФА - ЕГ. Розроблено оптимальні умови та режими хіміко-механічного полірування поверхні напівпровідникових твердих розчинів на основі Bi2Te3.
| 3. |
Томашик З. Ф. Застосування бромвиділяючих травників для хімічного полірування поверхні PbTe та твердих розчинів Pb1-xSnxTe [Електронний ресурс] / З. Ф. Томашик, В. М. Томашик, І. Б. Стратійчук, Г. П. Маланич, І. І. Павлович // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 4. - С. 1007-1012. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_4_31 За відтворюваних гідродинамічних умов вперше вивчено характер фізико-хімічної взаємодії монокристалів PbTe і твердих розчинів Pb1-xSnxTe з бромвиділяючими травильними сумішами H2O2 - HBr. Встановлено залежності швидкості їх травлення від складу травників, температури, перемішування, часу їх зберігання та вплив складу твердих розчинів на параметри хімічного полірування. Оптимізовано склади травників і режими проведення процесу хіміко-динамічного полірування досліджуваних монокристалів.
| 4. |
Маланич Г. П. Електричні властивості структур In/p-pbte [Електронний ресурс] / Г. П. Маланич, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, А. Т. Ворощенко, М. Ю. Кравецький, І. І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2012. - Вып. 47. - С. 84-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2012_47_11 Досліджено механізми формування бар'єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p - n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі температур 77 - 146 К за напруг зворотного зміщення <$E symbol Г~150> мВ домінує генераційно-рекомбінаційний механізм, а за температур 150 - 220 К - дифузійний. При великих зворотних зміщеннях та азотних температурах реалізується тунельний механізм пробою переходів. Оцінено параметри приконтактного шару і встановлено, що у ньому відбувається компенсація власних дефектів домішкою індію. Одержані результати слід враховувати під час виготовлення омічних контактів до p-PbTe.
|
|
|